RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晋闽; 曾一平; 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 刘新宇 ; 刘键; 冉军学; 钱鹤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:6页码:5，1116-1120 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管 Gan 二维电子气 Rf-mbe 功率器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用RF-MBE技术，在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN／GaNHEMT结构．用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43％，异质结构晶体质量较高，界面比较光滑．变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能，室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm^2／(V·s)和1．429×10^13cm^-2，二者的乘积为1．8×10^16V^-1·s^-1．用此材料研制的器件，直流特性得到了提高，最大漏极输出电流为1．0A／mm，非本征跨导为218mS／mm．结果表明，提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN／GaNHEMT结构材料的电学性能和器件性能． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1186]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽,曾一平,王晓亮,等. RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构[J]. 半导体学报,2005,26(6):5，1116-1120. |
| APA | 李晋闽.,曾一平.,王晓亮.,王翠梅.,胡国新.,...&钱鹤.(2005).RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构.半导体学报,26(6),5，1116-1120. |
| MLA | 李晋闽,et al."RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构".半导体学报 26.6(2005):5，1116-1120. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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