锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王润梅; 张海英 ; 刘训春; 尹军舰; 陈立强; 牛洁斌; 刘明
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:6页码:1126-1128 |
| 关键词 | Inp |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础．从优化器件结构的角度，提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件．实验证明，采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响，改善源漏的图形形貌，提高器件制做的成品率．获得了具有良好直流和微波特性的晶体管，其跨导达到1050mS／mm，阈值电压为-1．0V，截止频率达到120GHz． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1188]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王润梅,张海英,刘训春,等. 锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件[J]. 半导体学报,2005,26(6):1126-1128. |
| APA | 王润梅.,张海英.,刘训春.,尹军舰.,陈立强.,...&刘明.(2005).锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件.半导体学报,26(6),1126-1128. |
| MLA | 王润梅,et al."锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件".半导体学报 26.6(2005):1126-1128. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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