一种用于SRAM快速仿真的模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄令仪; 张锋 ; 周玉梅
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:6页码:3，1264-1268 |
| 关键词 | Sram 网表 版图后仿真 寄生效应 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点，提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型．该模型仿真快速准确，能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点，在很大程度上缩短了设计周期．同时，它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5％．该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用；芯片采用的是中芯国际0．18μmCMOS工艺．流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1190]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄令仪,张锋,周玉梅. 一种用于SRAM快速仿真的模型[J]. 半导体学报,2005,26(6):3，1264-1268. |
| APA | 黄令仪,张锋,&周玉梅.(2005).一种用于SRAM快速仿真的模型.半导体学报,26(6),3，1264-1268. |
| MLA | 黄令仪,et al."一种用于SRAM快速仿真的模型".半导体学报 26.6(2005):3，1264-1268. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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