SOI射频集成器件研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨荣; 李俊峰 ; 钱鹤; 韩郑生
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 11期号:12页码:6，177-182 |
| 关键词 | 射频 绝缘硅 Ldmos Nmos 电感 结构 制造 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 提出了包含射频有源和无源器件的sOI集成结构及工艺方案，在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管。核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性：0．25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19．3GHz和16．1V；而0．25μm栅长的NMOS对应参数则为21．3GHz和4．8V；采用开发的局部介质增厚技术后，2nH、5nH、10nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6．5、5．0、4．0，相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4．3、3．2、2．3)，分别改善了77％，58％，49％。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1196]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨荣,李俊峰,钱鹤,等. SOI射频集成器件研制[J]. 功能材料与器件学报,2005,11(12):6，177-182. |
| APA | 杨荣,李俊峰,钱鹤,&韩郑生.(2005).SOI射频集成器件研制.功能材料与器件学报,11(12),6，177-182. |
| MLA | 杨荣,et al."SOI射频集成器件研制".功能材料与器件学报 11.12(2005):6，177-182. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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