基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 陈晓娟; 邵刚; 刘键; 和致经; 汪锁发; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:5页码:4，990-993 |
| 关键词 | Algan／gan Hemt Fc 倒扣 热阻 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN／GaN HEMTs，并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看，器件的热阻可大幅降到14．9K·mm／W，直流特性明显增加，饱和电流提高33％．表明采用FC技术有效改善了器件散热，而且引入的寄生电感较小，可获得更大输出功率．如果进一步完善频率特性的优化，可以加快FC技术的AlGaN／GaN大功率HEMT器件的实用化进程． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1202]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,陈晓娟,邵刚,等. 基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT[J]. 半导体学报,2005,26(5):4，990-993. |
| APA | 刘新宇.,陈晓娟.,邵刚.,刘键.,和致经.,...&吴德馨.(2005).基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT.半导体学报,26(5),4，990-993. |
| MLA | 刘新宇,et al."基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT".半导体学报 26.5(2005):4，990-993. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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