超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟兴华; 吴峻峰; 杨建军; 徐秋霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:5，651-655 |
| 关键词 | 等效氧化层厚度 氮化硅／氮氧化硅复合叠层栅介质 高^ 硼穿通 金属栅 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研究了高质量超薄氮化硅／氮氧化硅(N／O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性，制备了栅介质等效厚度小于2nm的N／O复合叠层栅介质，该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流．实验表明这种N／O复合栅介质与优化溅射W／TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1204]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟兴华,吴峻峰,杨建军,等. 超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性[J]. 半导体学报,2005,26(4):5，651-655. |
| APA | 钟兴华,吴峻峰,杨建军,&徐秋霞.(2005).超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性.半导体学报,26(4),5，651-655. |
| MLA | 钟兴华,et al."超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性".半导体学报 26.4(2005):5，651-655. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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