部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴峻峰; 钟兴华; 李多力 ; 康晓辉; 邵红旭; 杨建军; 海潮和; 韩郑生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:6，656-661 |
| 关键词 | 部分耗尽soi体接触 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管．在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性．通过使用二维工艺器件模拟，并测量漏体结的击穿特性，详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制．在此基础上，提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1206]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴峻峰,钟兴华,李多力,等. 部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性[J]. 半导体学报,2005,26(4):6，656-661. |
| APA | 吴峻峰.,钟兴华.,李多力.,康晓辉.,邵红旭.,...&韩郑生.(2005).部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性.半导体学报,26(4),6，656-661. |
| MLA | 吴峻峰,et al."部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性".半导体学报 26.4(2005):6，656-661. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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