截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈立强; 张海英; 钱鹤; 尹军舰; 牛洁斌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:3页码:4，472-475 |
| 关键词 | 截止频率 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1212]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈立强,张海英,钱鹤,等. 截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT[J]. 半导体学报,2005,26(3):4，472-475. |
| APA | 陈立强,张海英,钱鹤,尹军舰,&牛洁斌.(2005).截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT.半导体学报,26(3),4，472-475. |
| MLA | 陈立强,et al."截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT".半导体学报 26.3(2005):4，472-475. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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