0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张晓菊; 孙宝刚; 郝跃; 任红霞; 马晓华 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:3页码:4，532-535 |
| 关键词 | 槽栅结构 Cmos 超深亚微米 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 通过实验成功得到了0．1μm槽栅结构CMOS器件，验证了理论结果的正确性，表明这是一种优良的小尺寸器件结构．该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点，并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1214]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晓菊,孙宝刚,郝跃,等. 0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性[J]. 半导体学报,2005,26(3):4，532-535. |
| APA | 张晓菊,孙宝刚,郝跃,任红霞,&马晓华.(2005).0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性.半导体学报,26(3),4，532-535. |
| MLA | 张晓菊,et al."0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性".半导体学报 26.3(2005):4，532-535. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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