常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶
文献类型:期刊论文
作者 | 赵玲利![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
![]() |
出版日期 | 2005 |
卷号 | 26期号:3页码:5,613-617 |
关键词 | 大气压 冷等离子体 光刻胶 刻蚀 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1216] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵玲利,李海江,王守国,等. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. 半导体学报,2005,26(3):5,613-617. |
APA | 赵玲利,李海江,王守国,&叶甜春.(2005).常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶.半导体学报,26(3),5,613-617. |
MLA | 赵玲利,et al."常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶".半导体学报 26.3(2005):5,613-617. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。