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常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

文献类型:期刊论文

作者赵玲利; 李海江; 王守国; 叶甜春
刊名半导体学报
出版日期2005
卷号26期号:3页码:5,613-617
关键词大气压 冷等离子体 光刻胶 刻蚀
ISSN号0253-4177
英文摘要

介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1216]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
赵玲利,李海江,王守国,等. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. 半导体学报,2005,26(3):5,613-617.
APA 赵玲利,李海江,王守国,&叶甜春.(2005).常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶.半导体学报,26(3),5,613-617.
MLA 赵玲利,et al."常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶".半导体学报 26.3(2005):5,613-617.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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