常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵玲利 ; 李海江; 王守国; 叶甜春
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:3页码:5，613-617 |
| 关键词 | 大气压 冷等离子体 光刻胶 刻蚀 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置，利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性，利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度，得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性．利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验，用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果，研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响，在放电功率为300W时，得到刻蚀速率接近500nm／min． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1216]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵玲利,李海江,王守国,等. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. 半导体学报,2005,26(3):5，613-617. |
| APA | 赵玲利,李海江,王守国,&叶甜春.(2005).常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶.半导体学报,26(3),5，613-617. |
| MLA | 赵玲利,et al."常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶".半导体学报 26.3(2005):5，613-617. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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