高速双极晶体管工艺条件的优化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 程超; 孙宝刚 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 35期号:2页码:4，130-132,137 |
| 关键词 | 双极晶体管 深槽隔离 选择性注入集电极 快速热退火 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA)，同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术。对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化。根据优化结果，制作出了性能优良的高速双极晶体管。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1226]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,程超,孙宝刚. 高速双极晶体管工艺条件的优化研究[J]. 微电子学,2005,35(2):4，130-132,137. |
| APA | 海潮和,程超,&孙宝刚.(2005).高速双极晶体管工艺条件的优化研究.微电子学,35(2),4，130-132,137. |
| MLA | 海潮和,et al."高速双极晶体管工艺条件的优化研究".微电子学 35.2(2005):4，130-132,137. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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