ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵新为; 龙世兵 ; 李志刚; 陈宝钦; 刘明
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| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 1页码:7，6-11,16 |
| 关键词 | Zep520抗蚀剂 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 英文摘要 | 详细研究了ZEP520在Si衬底上的对比度、灵敏度、分辨率，并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响；同时还初步研究了ZEP520在GaAs衬底上的曝光工艺。实验结果表明，ZEP520的灵敏度远高于PMMA，在Si和GaAs上用ZEP520能分别制作出100nm和130nm宽的细线条，通过预烘GaAs衬底，可以消除ZEP520中的裂纹，因此用ZEP520制作器件或电路中各种细小凹槽图形是十分有利的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1228]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵新为,龙世兵,李志刚,等. ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究[J]. 微细加工技术,2005(1):7，6-11,16. |
| APA | 赵新为,龙世兵,李志刚,陈宝钦,&刘明.(2005).ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究.微细加工技术(1),7，6-11,16. |
| MLA | 赵新为,et al."ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究".微细加工技术 .1(2005):7，6-11,16. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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