抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 韩郑生 ; 钱鹤; 赵洪辰
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 11期号:1页码:4，71-74 |
| 关键词 | Soi 总剂量辐照 氮化h2-o2 合成栅介质 H型栅 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs，使用的主要技术手段有：氮化H2-O2合成栅介质加固正栅；增加体区掺杂，以提高背栅阈值电压；采用H型栅结构，消除边缘寄生晶体管。结果表明，在经受1E6rad(Si)的辐照后，器件特性没有明显恶化。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1236]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,韩郑生,钱鹤,等. 抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs[J]. 功能材料与器件学报,2005,11(1):4，71-74. |
| APA | 海潮和,韩郑生,钱鹤,&赵洪辰.(2005).抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs.功能材料与器件学报,11(1),4，71-74. |
| MLA | 海潮和,et al."抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs".功能材料与器件学报 11.1(2005):4，71-74. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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