电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段，在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑，但是由于邻近效应问题，依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形，对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究，并得到一些比较理想的曝光结果。