PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:2页码:4，234-237 |
| 关键词 | 浮体效应 辐照 Soi |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs，并研究了浮体效应对辐照性能的影响，在10^6rad(Si)总剂量辐照下，所有器件的亚阈特性未见明显变化．环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33％，其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高，在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤,浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1244]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,等. PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响[J]. 半导体学报,2005,26(2):4，234-237. |
| APA | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,&钱鹤.(2005).PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响.半导体学报,26(2),4，234-237. |
| MLA | 韩郑生,et al."PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响".半导体学报 26.2(2005):4，234-237. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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