0．5μm高速BiCMOS的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 程超; 孙宝刚 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 22期号:1页码:3，133-135 |
| 关键词 | Bicmos工艺 Sic技术 Si3n4／sio2复合侧墙 超簿内基区 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 英文摘要 | 报道了一套先进的0．5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺。工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4／SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超簿内基区。通过优化BiCMOS制作工艺，最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1246]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,程超,孙宝刚. 0．5μm高速BiCMOS的工艺研究[J]. 微电子学与计算机,2005,22(1):3，133-135. |
| APA | 海潮和,程超,&孙宝刚.(2005).0．5μm高速BiCMOS的工艺研究.微电子学与计算机,22(1),3，133-135. |
| MLA | 海潮和,et al."0．5μm高速BiCMOS的工艺研究".微电子学与计算机 22.1(2005):3，133-135. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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