0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹红旭; 韩郑生 ; 孙宝刚
|
| 刊名 | 电子工业专用设备
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:1页码:5，20-24 |
| 关键词 | Soi槽栅cmos 短沟道效应 热载流子效应 栅极漏电 |
| ISSN号 | 1004-4507 |
| 英文摘要 | 基于SOI技术对器件特性的良好改善和槽栅MOS器件在深亚微米领域抑制短沟道效应和抗热载流子效应方面的显著优势，对SOI槽栅CMOS器件在0.1μm尺寸下的电学特性进行了模拟仿真，仿真结果表明，基于SOI衬底的槽栅CMOS器件除了拥有槽栅器件独特优势之外，还很好地抑制了栅极漏电和阈值偏高等体硅槽栅MOS所具有的特性缺陷，得到了更加理想的实验结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1252]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹红旭,韩郑生,孙宝刚. 0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真[J]. 电子工业专用设备,2005,34(1):5，20-24. |
| APA | 邹红旭,韩郑生,&孙宝刚.(2005).0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真.电子工业专用设备,34(1),5，20-24. |
| MLA | 邹红旭,et al."0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真".电子工业专用设备 34.1(2005):5，20-24. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。