用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖勇明; 董立军 ; 韩敬东; 陈大鹏; 叶甜春
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| 刊名 | 电子工业专用设备
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:1页码:3，28-30 |
| 关键词 | Mems Sih2cl2 多晶硅薄膜 Xrd 薄膜应力 |
| ISSN号 | 1004-4507 |
| 英文摘要 | 用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积，根据膜厚计算出了沉积速率，用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析。证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1256]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖勇明,董立军,韩敬东,等. 用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究[J]. 电子工业专用设备,2005,34(1):3，28-30. |
| APA | 廖勇明,董立军,韩敬东,陈大鹏,&叶甜春.(2005).用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究.电子工业专用设备,34(1),3，28-30. |
| MLA | 廖勇明,et al."用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究".电子工业专用设备 34.1(2005):3，28-30. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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