超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王志玮; 徐秋霞 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 35期号:1页码:5，93-96,99 |
| 关键词 | 双栅mosfet 自对准 亚微米工艺 假栅 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 进入超深亚微米领域以后，传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍。普遍认为。必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命。其中，双栅CMOS被认为是新结构中的首选．在制作平面型双栅MOS器件中，采用自对准假栅结构，利用UHV外延得到有源区(S、D、G)，是一种制作自对准双栅MOSFET的有效手段．文章详细研究了一种假栅制作技术．采用电子束曝光，结合胶的灰化技术，得到了线宽为50nm的胶图形，并用RIE刻蚀五层介质的方法，得到了栅长仅为50nm的自对准假栅结构． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1264]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志玮,徐秋霞. 超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作[J]. 微电子学,2005,35(1):5，93-96,99. |
| APA | 王志玮,&徐秋霞.(2005).超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作.微电子学,35(1),5，93-96,99. |
| MLA | 王志玮,et al."超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作".微电子学 35.1(2005):5，93-96,99. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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