高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵刚; 刘新宇 ; 和致经; 刘键; 魏珂; 陈晓娟; 吴德馨; 王晓亮; 陈宏
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:1页码:4，88-91 |
| 关键词 | Algan／gan Hemt 微波功率 单位截止频率 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN／GaN HEMTs功率器件．为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0．784A／mm，跨导197mS／mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1．2W／mm，PAE为32％，两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1270]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵刚,刘新宇,和致经,等. 高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制[J]. 半导体学报,2005,26(1):4，88-91. |
| APA | 邵刚.,刘新宇.,和致经.,刘键.,魏珂.,...&陈宏.(2005).高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制.半导体学报,26(1),4，88-91. |
| MLA | 邵刚,et al."高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制".半导体学报 26.1(2005):4，88-91. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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