100mm InGaP／GaAs HBT及相关电路关键工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石瑞英; 孙海锋; 刘训春; 刘洪民 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:1页码:5，106-110 |
| 关键词 | In0.49ga0.51p腐蚀 聚酰亚胺平面化 空气桥 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 对100mm In0.49Ga0.51P／GaAs HBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究，解决了器件及电路制备过程中出现的难题，尤其是用很简单的方法解决了In0.49Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题，并且成功地制作出所设计的器件及电路． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1272]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石瑞英,孙海锋,刘训春,等. 100mm InGaP／GaAs HBT及相关电路关键工艺[J]. 半导体学报,2005,26(1):5，106-110. |
| APA | 石瑞英,孙海锋,刘训春,&刘洪民.(2005).100mm InGaP／GaAs HBT及相关电路关键工艺.半导体学报,26(1),5，106-110. |
| MLA | 石瑞英,et al."100mm InGaP／GaAs HBT及相关电路关键工艺".半导体学报 26.1(2005):5，106-110. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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