超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林钢; 徐秋霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:1页码:5，115-119 |
| 关键词 | 超薄si3n4／sio2（n／o）stack栅介质 栅隧穿漏电流 Silc特性 栅介质寿命 Cmos器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2．1nm的Si3N4／SiO2(N／O)stack栅介质，并对其性质进行了研究．结果表明，同样EOT的Si3N4／SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较，前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者．在此基础上，采用Si3N4／SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0．12μm的CMOS器件，器件很好地抑制了短沟道效应．在Vds=Vgs=±1．5V下，nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584．3μA／μm和-281．3μA／μm，对应Ioff分别是8．3nA／μm和-1.3nA／μm． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1274]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林钢,徐秋霞. 超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件[J]. 半导体学报,2005,26(1):5，115-119. |
| APA | 林钢,&徐秋霞.(2005).超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件.半导体学报,26(1),5，115-119. |
| MLA | 林钢,et al."超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件".半导体学报 26.1(2005):5，115-119. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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