亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张志勇; 海潮和 |
| 刊名 | 电子与封装
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 5期号:9页码:5，29-33 |
| 关键词 | 亚微米工艺 自对准技术 双层多晶硅 双极晶体管 原位掺杂 |
| 英文摘要 | 本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的发射区使得发射极多晶硅在发射区窗口严重堆积,引起了双极晶体管的电流增益增大,同时也降低了管子的速度.工艺和器件模拟显示,发射极多晶硅采用原位掺杂技术,双极晶体管的性能得到了很大的改善. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1278]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志勇,海潮和. 亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究[J]. 电子与封装,2005,5(9):5，29-33. |
| APA | 张志勇,&海潮和.(2005).亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究.电子与封装,5(9),5，29-33. |
| MLA | 张志勇,et al."亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究".电子与封装 5.9(2005):5，29-33. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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