100nm分辨率交替式移相掩模设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆晶; 陈宝钦 ; 刘明; 龙世兵; 李泠
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 25期号:2页码:5，260-264 |
| 关键词 | 交替式移相掩模 相位冲突 光学临近效应校正 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 英文摘要 | 讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题，以及通过对版图的拓扑分析，建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较，确立了分层叠加曝光的方案，并针对分层叠加曝光技术，进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1282]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆晶,陈宝钦,刘明,等. 100nm分辨率交替式移相掩模设计[J]. 固体电子学研究与进展,2005,25(2):5，260-264. |
| APA | 陆晶,陈宝钦,刘明,龙世兵,&李泠.(2005).100nm分辨率交替式移相掩模设计.固体电子学研究与进展,25(2),5，260-264. |
| MLA | 陆晶,et al."100nm分辨率交替式移相掩模设计".固体电子学研究与进展 25.2(2005):5，260-264. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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