低压条形栅功率场效应晶体管的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖太仪; 王立新; 陆江 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:增刊页码:205-207 |
| 关键词 | 条形栅 Vdmos 功率场效应晶体管 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强. |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1296]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖太仪,王立新,陆江. 低压条形栅功率场效应晶体管的研制[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):205-207. |
| APA | 廖太仪,王立新,&陆江.(2006).低压条形栅功率场效应晶体管的研制.半导体学报,27(增刊),205-207. |
| MLA | 廖太仪,et al."低压条形栅功率场效应晶体管的研制".半导体学报 27.增刊(2006):205-207. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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