具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦 ; 徐秋霞; 钱鹤; 段晓峰; 刘海华; 王大海; 韩郑生; 刘明; 李海鸥
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:增刊页码:283-290 |
| 关键词 | 应变硅沟道 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1302]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,徐秋霞,钱鹤,等. 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):283-290. |
| APA | 陈宝钦.,徐秋霞.,钱鹤.,段晓峰.,刘海华.,...&李海鸥.(2006).具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件.半导体学报,27(增刊),283-290. |
| MLA | 陈宝钦,et al."具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件".半导体学报 27.增刊(2006):283-290. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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