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提高SOI器件和电路性能的研究

文献类型:期刊论文

作者韩郑生; 海潮和; 周小茵; 赵立新; 李多力; 毕津顺
刊名半导体学报
出版日期2006
卷号27期号:增刊页码:322-327
关键词Soi 浮体效应 沟道 抗辐照
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1306]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
韩郑生,海潮和,周小茵,等. 提高SOI器件和电路性能的研究[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):322-327.
APA 韩郑生,海潮和,周小茵,赵立新,李多力,&毕津顺.(2006).提高SOI器件和电路性能的研究.半导体学报,27(增刊),322-327.
MLA 韩郑生,et al."提高SOI器件和电路性能的研究".半导体学报 27.增刊(2006):322-327.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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