提高SOI器件和电路性能的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 海潮和; 周小茵; 赵立新; 李多力; 毕津顺
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:增刊页码:322-327 |
| 关键词 | Soi 浮体效应 沟道 抗辐照 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si). |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1306]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,海潮和,周小茵,等. 提高SOI器件和电路性能的研究[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):322-327. |
| APA | 韩郑生,海潮和,周小茵,赵立新,李多力,&毕津顺.(2006).提高SOI器件和电路性能的研究.半导体学报,27(增刊),322-327. |
| MLA | 韩郑生,et al."提高SOI器件和电路性能的研究".半导体学报 27.增刊(2006):322-327. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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