侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢常青 ; 刘明; 陈宝钦; 叶甜春
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:增刊页码:340-342 |
| 关键词 | 193nm光学光刻 衰减型移相掩模 离轴照明 数值孔径 Prolith |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1308]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,刘明,陈宝钦,等. 侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):340-342. |
| APA | 谢常青,刘明,陈宝钦,&叶甜春.(2006).侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用.半导体学报,27(增刊),340-342. |
| MLA | 谢常青,et al."侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用".半导体学报 27.增刊(2006):340-342. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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