MEMS器件的腐蚀与释放
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈大鹏 ; 焦斌斌; 欧毅; 石莎莉; 李超波
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:增刊页码:347-350 |
| 关键词 | Mems 牺牲层 腐蚀 释放 隔离槽 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 以硅微机械FP腔器件为代表,该器件采用了标准的硅表面加工工艺,分析了此类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题.根据所遇到问题的不同情况对器件的设计和工艺流程进行了改进,并通过实验验证了其可行性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1310]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈大鹏,焦斌斌,欧毅,等. MEMS器件的腐蚀与释放[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):347-350. |
| APA | 陈大鹏,焦斌斌,欧毅,石莎莉,&李超波.(2006).MEMS器件的腐蚀与释放.半导体学报,27(增刊),347-350. |
| MLA | 陈大鹏,et al."MEMS器件的腐蚀与释放".半导体学报 27.增刊(2006):347-350. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。