纳电子器件的少电子输运性质及应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 陈杰智; 施毅; 濮林; 郑有炓
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| 刊名 | 固体电子学研究与进
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 26期号:4页码:427-431 |
| 关键词 | 纳电子器件 少电子输运 库仑阻塞 近藤效应 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 产权排序 | 4 |
| 英文摘要 | 在介绍纳电子器件基本输运理论基础上，着重分析量子点结构器件模型，讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况，以及电子自旋的影响，特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1328]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,陈杰智,施毅,等. 纳电子器件的少电子输运性质及应用[J]. 固体电子学研究与进,2006,26(4):427-431. |
| APA | 刘明,陈杰智,施毅,濮林,&郑有炓.(2006).纳电子器件的少电子输运性质及应用.固体电子学研究与进,26(4),427-431. |
| MLA | 刘明,et al."纳电子器件的少电子输运性质及应用".固体电子学研究与进 26.4(2006):427-431. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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