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一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器

文献类型:期刊论文

作者朱曼; 黄华; 张海英; 杨浩; 尹军舰; 叶甜春
刊名半导体学报
出版日期2006
卷号27期号:12页码:2080-2084
关键词低噪声放大器 增强型赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在500端口测试条件下,该低噪声放大器在3.5~4.3GHz频率范围内,噪声系数小于0.9dB,增益大于26dB,回波损耗小于一10dB、这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器,它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型腰配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构.

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1332]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
朱曼,黄华,张海英,等. 一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器[J]. 半导体学报,2006,27(12):2080-2084.
APA 朱曼,黄华,张海英,杨浩,尹军舰,&叶甜春.(2006).一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器.半导体学报,27(12),2080-2084.
MLA 朱曼,et al."一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器".半导体学报 27.12(2006):2080-2084.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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