100V高压CMOS工艺关键技术的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 宋李梅; 李桦; 杜寰; 夏洋; 海潮和
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:11页码:1900-1905 |
| 关键词 | 高压cmos工艺 双栅氧工艺 兼容性 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 提出了一种新的双栅氧（dualgateoxide，DGO）工艺，有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性，同时提高了高低压器件性能的稳定性．在中国科学院微电子研究所0．8μmn阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程，并流片成功．实验结果表明，高压n管和高压P管的关态击穿电压分别为168和一158V，可以在100V高压下安全工作． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1336]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,宋李梅,李桦,等. 100V高压CMOS工艺关键技术的研究[J]. 半导体学报,2006,27(11):1900-1905. |
| APA | 韩郑生,宋李梅,李桦,杜寰,夏洋,&海潮和.(2006).100V高压CMOS工艺关键技术的研究.半导体学报,27(11),1900-1905. |
| MLA | 韩郑生,et al."100V高压CMOS工艺关键技术的研究".半导体学报 27.11(2006):1900-1905. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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