磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘亮; 尹军舰; 李潇; 张海英; 李海鸥; 和致经; 刘训春 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:11页码:1970-1973 |
| 关键词 | 磷化铟 高电子迁移率晶体管 欧姆接触 合金 传输线模型 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 针对磷化铟（InP）基高电子迁移率晶体管（HEMT），进行了Ni／Ge／Au和Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au两种金属结构快速退火（10～40s）和长时间合金（10min）的实验．通过研究比较，得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法．利用Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au结构，在270℃下合金10min形成了典型值．0.068Ω·mm的接触电阻． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1338]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘亮,尹军舰,李潇,等. 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺[J]. 半导体学报,2006,27(11):1970-1973. |
| APA | 刘亮.,尹军舰.,李潇.,张海英.,李海鸥.,...&刘训春.(2006).磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺.半导体学报,27(11),1970-1973. |
| MLA | 刘亮,et al."磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺".半导体学报 27.11(2006):1970-1973. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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