高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮; 罗卫军 ; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:11页码:1981-1983 |
| 关键词 | Algan／gan 高电子迁移率晶体管 微波功率 功率增益 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在6H-SiC衬底上，外延生长了AlGaN／GaNHEMT结构，设计并实现了高性能1mmAlGaN／GaN微波功率HEMT，外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长．测试表明，该1mm栅宽器件栅长为0．8,um，输出电流密度达到1．16A／mm，跨导为241mS／mm，击穿电压〉80V，特征频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz．5.4GHz连续波测试下功率增益为14．2dB，输出功率达4．1W，脉冲条件测试下功率增益为14．4dB，输出功率为5．2W，两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1340]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,罗卫军,陈晓娟,等. 高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制[J]. 半导体学报,2006,27(11):1981-1983. |
| APA | 王晓亮.,罗卫军.,陈晓娟.,李成瞻.,刘新宇.,...&梁晓新.(2006).高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制.半导体学报,27(11),1981-1983. |
| MLA | 王晓亮,et al."高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制".半导体学报 27.11(2006):1981-1983. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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