一种新的AlGaN／GaN HEMT半经验直流特性模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 刘丹; 陈晓娟; 刘果果; 和致经; 吴德馨
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:11页码:1984-1988 |
| 关键词 | Algan／gan Hemt 模型 膝点电压 衬底 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的AlGaN／GaNHEMT半经验直流特性模型，考虑了栅源电压对膝点电压的影响，得到描述AlGaN／GaNHEMT器件I-V特性的方程．此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN／GaNHEMT器件的I-V特性模拟．仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3％． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1342]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘丹,陈晓娟,等. 一种新的AlGaN／GaN HEMT半经验直流特性模型[J]. 半导体学报,2006,27(11):1984-1988. |
| APA | 刘新宇,刘丹,陈晓娟,刘果果,和致经,&吴德馨.(2006).一种新的AlGaN／GaN HEMT半经验直流特性模型.半导体学报,27(11),1984-1988. |
| MLA | 刘新宇,et al."一种新的AlGaN／GaN HEMT半经验直流特性模型".半导体学报 27.11(2006):1984-1988. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。