GaAsMMIC用无源元件的模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 吴德馨; 王显泰; 葛霁; 杨威; 严北平; 陈延湖; 申华军
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:10页码:1872-1879 |
| 关键词 | Mmic 矩形螺旋电感 Mim电容 薄膜电阻 多项式拟合公式 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件。包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻，建立了无源元件的等效电路模型库。采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数，便于电路设计的应用．并提取得到MIM电容的单位面积电容值，约为195pF／mm^2，NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16．Ω／□．分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知，减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1350]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,吴德馨,王显泰,等. GaAsMMIC用无源元件的模型[J]. 半导体学报,2006,27(10):1872-1879. |
| APA | 刘新宇.,吴德馨.,王显泰.,葛霁.,杨威.,...&申华军.(2006).GaAsMMIC用无源元件的模型.半导体学报,27(10),1872-1879. |
| MLA | 刘新宇,et al."GaAsMMIC用无源元件的模型".半导体学报 27.10(2006):1872-1879. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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