辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 海潮和; 赵洪辰; 钱鹤
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 26期号:3页码:304-306 |
| 关键词 | 总剂量辐照 寄生双极晶体管 绝缘体上硅 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移，但均未发生漏电，说明其抗辐照性能超过1E6rad（Si）。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大，并且与背栅阈值电压的变化趋势相似，可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高，提高了发射极的发射效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1354]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,海潮和,赵洪辰,等. 辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(3):304-306. |
| APA | 韩郑生,海潮和,赵洪辰,&钱鹤.(2006).辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响.固体电子学研究与进展,26(3),304-306. |
| MLA | 韩郑生,et al."辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响".固体电子学研究与进展 26.3(2006):304-306. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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