MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晋闽; 王占国; 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 ; 刘新宇; 陈晓娟
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:9页码:1521-1525 |
| 关键词 | Algan／gan 高电子迁移率管 Mocvd 功率器件 碳化硅衬底 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN／AlN／GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构材料，其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm^2／（V·s），相应二维电子气浓度为1．03×10^13cm^-2；三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌，10μm×10μm样品的表面粗糙度为0．27nm．用此材料研制出了栅长为0．8μm，栅宽为1．2mm的HEMT器件，最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA／mm和267mS／mm． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1366]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽,王占国,王晓亮,等. MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构[J]. 半导体学报,2006,27(9):1521-1525. |
| APA | 李晋闽.,王占国.,王晓亮.,胡国新.,马志勇.,...&钱鹤.(2006).MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构.半导体学报,27(9),1521-1525. |
| MLA | 李晋闽,et al."MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构".半导体学报 27.9(2006):1521-1525. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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