SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毕津顺; 海潮和 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:9页码:1526-1530 |
| 关键词 | Soi 动态阔值 肖特基势垒 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管．传统栅体直接连接DTMOS，为了避免体源二极管的正向开启，工作电压应当低于0．7V．而采用反偏肖特基势垒结构，DTMOS的工作电压可以拓展到0．7V以上．实验结果显示，室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构，阈值电压可以动态减小200mV．反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式，显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力．另外，对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1368]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,海潮和. SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性[J]. 半导体学报,2006,27(9):1526-1530. |
| APA | 毕津顺,&海潮和.(2006).SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性.半导体学报,27(9),1526-1530. |
| MLA | 毕津顺,et al."SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性".半导体学报 27.9(2006):1526-1530. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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