三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱旻; 刘训春; 王润梅; 申华军; 杨威 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:9页码:1604-1607 |
| 关键词 | 异质结双极型晶体管 三指发射极 自对准 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 异质结双极型晶体管（HBT）是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一．本文提出了一种三指发射极HBT的设计．通过与同一版上两指发射极HBT比较，证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高，并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1370]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱旻,刘训春,王润梅,等. 三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制[J]. 半导体学报,2006,27(9):1604-1607. |
| APA | 朱旻,刘训春,王润梅,申华军,&杨威.(2006).三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制.半导体学报,27(9),1604-1607. |
| MLA | 朱旻,et al."三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制".半导体学报 27.9(2006):1604-1607. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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