截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨荣; 李俊峰 ; 徐秋霞; 钱鹤; 韩郑生; 海潮和
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:8页码:1343-1346 |
| 关键词 | 结构 工艺 射频 Nmosfet |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 阐述了0．18μm射频nMOSFET的制造和性能．器件采用氮化栅氧化层／多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构，除0．18μm的栅线条采用电子束直写技术外，其他结构均通过常规的半导体制造设备实现，按照简洁的工艺流程制备了器件，获得了优良的直流和射频性能：阈值电压0．52V，亚阈值斜率80mV／dec，漏致势垒降低因子69mV／V，截止电流0．5nA／μm，饱和驱动电流458μA／μm，饱和跨导212μS／μm（6nm氧化层，3V驱动电压）及截止频率53GHz． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1374]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨荣,李俊峰,徐秋霞,等. 截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET[J]. 半导体学报,2006,27(8):1343-1346. |
| APA | 杨荣,李俊峰,徐秋霞,钱鹤,韩郑生,&海潮和.(2006).截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET.半导体学报,27(8),1343-1346. |
| MLA | 杨荣,et al."截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET".半导体学报 27.8(2006):1343-1346. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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