带有复合掺杂层集电区的InP／InGaAs／InP DHBT直流特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙浩; 钱鹤; 刘训春; 刘新宇 ; 苏树兵; 艾立鸥; 徐安怀; 齐鸣
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:8页码:1431-1435 |
| 关键词 | Inp／ingaas 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 4 |
| 英文摘要 | 设计了一种新结构InP／InGaAs／InP双异质结双极晶体管（DHBT），在集电区与基区之间插入n^＋-InP层，以降低集电结的导带势垒尖峰，克服电流阻挡效应．采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型，计算了n^＋-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP／InGaAs／InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响．结果表明，当n^＋-InP插入层掺杂浓度为3×10^19cm^-1、厚度为3nm时，可以获得较好的器件特性．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术成功地生长出InP／InGaAs／InP DHBT结构材料，器件研制结果表明，所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰，显著改善器件的输出特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1376]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩,钱鹤,刘训春,等. 带有复合掺杂层集电区的InP／InGaAs／InP DHBT直流特性分析[J]. 半导体学报,2006,27(8):1431-1435. |
| APA | 孙浩.,钱鹤.,刘训春.,刘新宇.,苏树兵.,...&齐鸣.(2006).带有复合掺杂层集电区的InP／InGaAs／InP DHBT直流特性分析.半导体学报,27(8),1431-1435. |
| MLA | 孙浩,et al."带有复合掺杂层集电区的InP／InGaAs／InP DHBT直流特性分析".半导体学报 27.8(2006):1431-1435. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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