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0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析

文献类型:期刊论文

作者王晗; 叶青
刊名半导体学报
出版日期2006
卷号27期号:8页码:1508-1513
关键词基准源 超低电压 自偏置 稳定性 环路增益 返回比
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现了一种工作在0.6~1.5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0.4V,工作电流为4.8μA,在-40~120℃范围内温度系数小于80ppm/℃,面积(不包括PAD)为0.045mm^2.
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1378]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晗,叶青. 0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析[J]. 半导体学报,2006,27(8):1508-1513.
APA 王晗,&叶青.(2006).0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析.半导体学报,27(8),1508-1513.
MLA 王晗,et al."0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析".半导体学报 27.8(2006):1508-1513.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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