电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹磊峰; 谢常青 ; 叶甜春; 王德强
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:6页码:1147-1150 |
| 关键词 | 电子束 X射线光刻 微波带片 菲涅耳波带片 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1396]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹磊峰,谢常青,叶甜春,等. 电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片[J]. 半导体学报,2006,27(6):1147-1150. |
| APA | 曹磊峰,谢常青,叶甜春,&王德强.(2006).电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片.半导体学报,27(6),1147-1150. |
| MLA | 曹磊峰,et al."电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片".半导体学报 27.6(2006):1147-1150. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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