合金温度对薄基区InGaP／GaAs残余电压和欧姆接触的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 杨威; 朱旻; 王润梅; 申华军 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:5页码:765-768 |
| 关键词 | 异质结双极型晶体管 U形发射极 合金 残余电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响，给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域,用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象，从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac／Ae的关系，并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac／Ae的原因，进一步证明了U型发射极结构的优越性。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1398]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,杨威,朱旻,等. 合金温度对薄基区InGaP／GaAs残余电压和欧姆接触的影响[J]. 半导体学报,2006,27(5):765-768. |
| APA | 刘训春,杨威,朱旻,王润梅,&申华军.(2006).合金温度对薄基区InGaP／GaAs残余电压和欧姆接触的影响.半导体学报,27(5),765-768. |
| MLA | 刘训春,et al."合金温度对薄基区InGaP／GaAs残余电压和欧姆接触的影响".半导体学报 27.5(2006):765-768. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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