MBE生长的InP DHBT的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于进勇; 刘新宇 ; 王润梅; 刘训春; 苏树兵; 徐安怀; 齐鸣
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:5页码:792-795 |
| 关键词 | Mbe Be掺杂ingaas基区 磷化铟 双异质结双极晶体管 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 报道了一种自对准InP／InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件，其峰值共射直流增益超过300，残余电压约为0．16V，膝点电压仅为0．6V，而击穿电压约为6V,器件的截至频率达到80GHz，最大震荡频率为40GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1400]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于进勇,刘新宇,王润梅,等. MBE生长的InP DHBT的性能[J]. 半导体学报,2006,27(5):792-795. |
| APA | 于进勇.,刘新宇.,王润梅.,刘训春.,苏树兵.,...&齐鸣.(2006).MBE生长的InP DHBT的性能.半导体学报,27(5),792-795. |
| MLA | 于进勇,et al."MBE生长的InP DHBT的性能".半导体学报 27.5(2006):792-795. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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