基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 韩郑生 ; 杜寰; 李多力; 李瑞贞
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:5页码:796-803 |
| 关键词 | Soi 参数提取 遗传算法 模拟退火算法 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法，这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数，用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1．2μm CMOS／SOI工艺的SOI MOSFET模型参数，用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好，与商业软件相比精度得到了明显的提高，这种方法与商业软件使用的传统的方法相比，不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解，也不需要复杂的计算，更深入的验证表明，该模型适用的器件尺寸范围很广。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1402]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,韩郑生,杜寰,等. 基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取[J]. 半导体学报,2006,27(5):796-803. |
| APA | 海潮和,韩郑生,杜寰,李多力,&李瑞贞.(2006).基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取.半导体学报,27(5),796-803. |
| MLA | 海潮和,et al."基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取".半导体学报 27.5(2006):796-803. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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