硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 孙宝刚; 邵红旭; 吴峻峰
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 23期号:5页码:28-30 |
| 关键词 | Soi 槽栅mos器件 短沟道效应 热载流子效应 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1406]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,孙宝刚,邵红旭,等. 硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响[J]. 微电子学与计算机,2006,23(5):28-30. |
| APA | 韩郑生,孙宝刚,邵红旭,&吴峻峰.(2006).硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响.微电子学与计算机,23(5),28-30. |
| MLA | 韩郑生,et al."硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响".微电子学与计算机 23.5(2006):28-30. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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