一种结构新颖的CMOS带隙基准源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁国顺; 赵世欣 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:2页码:322-324 |
| 关键词 | Cmos 带隙基准 输出可调 启动电路 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 为了简化可变参考电压电路结构，并且降低该参考电压的温度系数，讨论了一种输出可调节的CMOS带隙基准电路。该电路在传统带隙基准电路的基础上增加了一个运算放大器。可以通过调整电阻值来分别调节电流与VBE和VT的比例关系，从而得到任意输出电压的带隙基准源。此外，为了使带隙基准电路能够正常工作，设计了启动电路。通过仔细设计版图和增加电路结构，提高了电路的性能。HSPICE模拟和测试结果表明，所设计的电路具有较高的电源抑制比和良好的温度特性。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1410]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁国顺,赵世欣. 一种结构新颖的CMOS带隙基准源[J]. 电子器件,2006,29(2):322-324. |
| APA | 袁国顺,&赵世欣.(2006).一种结构新颖的CMOS带隙基准源.电子器件,29(2),322-324. |
| MLA | 袁国顺,et al."一种结构新颖的CMOS带隙基准源".电子器件 29.2(2006):322-324. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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