多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路
文献类型：期刊论文
| 作者 | 连军; 海潮和 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 26期号:1页码:124-127 |
| 关键词 | 绝缘体上硅 全耗尽 互补金属氧化物半导体 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近，且关态漏电流很小，NMOS和PMOS的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm，NMOS和PMOS的峰值跨导分别为136．85mS／mm和81．7mS／mm。在工作电压为3V时，1．2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66ps。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1424]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 连军,海潮和. 多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(1):124-127. |
| APA | 连军,&海潮和.(2006).多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路.固体电子学研究与进展,26(1),124-127. |
| MLA | 连军,et al."多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路".固体电子学研究与进展 26.1(2006):124-127. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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