多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路
文献类型:期刊论文
作者 | 连军; 海潮和 |
刊名 | 固体电子学研究与进展
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出版日期 | 2006 |
卷号 | 26期号:1页码:124-127 |
关键词 | 绝缘体上硅 全耗尽 互补金属氧化物半导体 |
ISSN号 | 1000-3819 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NMOS和PMOS的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm,NMOS和PMOS的峰值跨导分别为136.85mS/mm和81.7mS/mm。在工作电压为3V时,1.2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66ps。 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1424] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 连军,海潮和. 多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(1):124-127. |
APA | 连军,&海潮和.(2006).多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路.固体电子学研究与进展,26(1),124-127. |
MLA | 连军,et al."多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路".固体电子学研究与进展 26.1(2006):124-127. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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