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多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路

文献类型:期刊论文

作者连军; 海潮和
刊名固体电子学研究与进展
出版日期2006
卷号26期号:1页码:124-127
关键词绝缘体上硅 全耗尽 互补金属氧化物半导体
ISSN号1000-3819
产权排序1
英文摘要对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NMOS和PMOS的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm,NMOS和PMOS的峰值跨导分别为136.85mS/mm和81.7mS/mm。在工作电压为3V时,1.2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66ps。
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1424]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
连军,海潮和. 多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(1):124-127.
APA 连军,&海潮和.(2006).多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路.固体电子学研究与进展,26(1),124-127.
MLA 连军,et al."多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路".固体电子学研究与进展 26.1(2006):124-127.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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